可控硅的保護(hù)電路，大致可以分為兩種情況：一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路，檢測(cè)設(shè)備的輸出電壓或輸入電流，當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時(shí)，借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài)，從而抑制過電壓或過電流的數(shù)值。

1. 過流保護(hù)

2.可控硅的過壓保護(hù)

3. 電流上升率、電壓上升率的抑制保護(hù)

（1）電流上升率di/dt的抑制

可控硅初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以0.1mm/μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面，若可控硅開通時(shí)電流上升率di/dt過大，會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感。如下圖:

（2）.電壓上升率dv/dt的抑制

4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)

在實(shí)際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。可控硅有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了可控硅的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于可控硅的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榭煽毓杩梢钥醋魇怯扇齻€(gè)PN結(jié)組成。在可控硅處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)可控硅陽極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果可控硅在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，可控硅誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到可控硅上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保可控硅安全運(yùn)行，常在可控硅兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞可控硅。同時(shí)，避免電容器通過可控硅放電電流過大，造成過電流而損壞可控硅。由于可控硅過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。

5.可控硅的選型

（1）正反電壓選擇

（2）.選擇額定工作電流

（3）.門極（控制極）選擇

（4）.選擇關(guān)斷時(shí)間（tg)

（5).電壓上升率（dv/dt)和電流上升率（di/dt)