可控硅使用原則

若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題，加入一幾mH 的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅。

規(guī)則6.
假如雙向可控硅的VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：
負載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV 跨接于電源，并在電源側增加濾波電路。
規(guī)則7.
選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力。
規(guī)則8.
若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。
規(guī)則9.
器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。
規(guī)則10.
為了長期可靠工作，應保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應于可能的最高環(huán)境溫度。