用QT2Q型晶體管特性圖示儀測試可控硅晶閘管參數

東莞市環昕微實業有限公司用QT2Q型晶體管特性圖示儀測試可控硅晶閘管參數步驟如下：

1  儀器與測試治具的連接

3.2 將 Y 軸旋鈕旋到“100uA”。將 X 軸旋鈕選到“100V”位置；“功耗限制電阻”旋到“10K”位置；“階梯信號”組的“作用”開關打到“關”位置，“幅度/級”選擇開關旋到“20 uA”位置；按下“3000V輸出電壓”選擇開關,旋動“峰值電壓”旋鈕，使水平方向的光標成一水平橫線，其值為 700V 左右。

3.3 將需要測試的器件插入相應的兩孔測試插座內。
3.4 示波器上會顯示出一條先是水平，然后向下轉折的一條曲線。其轉折點所對應的 X 軸坐標值×100V 即為一反向擊穿電壓值。
3.5 按下測試治具上的開關，示波器上所顯示的波形會發生變化，變成一條水平直線和一條起始點的豎直直線。水平直線所對應的 X 軸坐標值×100V 即為另一反向擊穿電壓。
3.6 取步驟 3.4、3.5 的最低電壓，即為可控硅的反向擊穿電壓。
3.7 擊穿電壓的分類和判別方法：
4  可控硅漏電流的測試
4.1 將 Y 軸、X 軸“方式”選擇開關都打向“測量”位置。此時光標應為一條水平橫線在中線上。
4.2 將 Y 軸旋鈕旋到“10uA”。將 X 軸旋鈕選到“100V”位置；“功耗限制電阻”旋到“10K”位置；“階梯信號”組的“作用”開關打到“關”位置，“幅度/級”選擇開關旋到“20 uA”位置；按下“3000V輸出電壓”選擇開關,旋動“峰值電壓”旋鈕，使水平方向的光標成一水平曲線，曲線的 X 軸坐標值×100V為該檔電壓下限值。調節 Y 軸“移位”旋鈕使曲線右端的尖點在中心水平線上。
4.3 將需要測試的器件插入相應的兩孔測試插座內。
4.4 示波器上所顯示出曲線會有所變化。右端的尖峰會向下彎曲。其彎曲值每格為 10uA。即為該器件的漏電流值。
4.5 電流的分類和判別方法：
5 可控硅觸發電流的測試
5.1 將 Y 軸旋鈕旋到“20mA”。將 X 軸旋鈕選到“外接”位置；“功耗限制電阻”旋到“100Ω”位置；“階梯信號”組的“作用”開關打到“正常”位置，“級/秒”開關打到“200”；“級/族”旋鈕旋到最大；“幅度/級”選擇開關旋到“10 uA”（151 為“1mA”）位置；按下“10V 輸出電壓”選擇開關；左下角測試開關打向“測試 A”；由下角“測試選擇”開關打到“NPN”；“常態/倒置”開關打到“常態”。此時，示波器上的波形應為十個觸發脈沖波。
5.2 將需要測試的器件插入相應的兩孔測試插座內。示波器上的波形會發生變化：前面的觸發脈沖會向 X 軸方向的右邊拉開；同時脈沖的幅度加大。
5.3 觸發電流的大小判別方法為：第一條豎線與第二條豎線 X 軸方向的寬度格數ד幅度/級”選擇開關的位置值。如果不好判別時，允許將“幅度/級”選擇開關的檔位打小，以便更精確讀取度數。

6  飽和壓降
X 軸、Y 軸“方式”選擇開關打到“⊥”位置。旋動 Y 軸“移位”旋鈕使光標移到最下面水平線上；旋動 X 軸“移位”旋鈕使光標移到 X 軸第二條標尺線上。
6.2 將 Y 軸旋鈕旋到“200mA”。將 X 軸旋鈕選到“200mV”位置；“功耗限制電阻”旋到“2～5Ω”位置；“階梯信號”組的“作用”開關打到“正常”位置，“級/秒”開關打到“200”；“級/族”旋鈕旋到最
大；“幅度/級”選擇開關旋到“20 uA”（151 為“1mA”）位置；按下“50V 輸出電壓”選擇開關；左下角測試開關打向“測試 A”；由下角“測試選擇”開關打到“NPN”；“常態/倒置”開關打到“常態”。
6.3 將所要測試的器件插到相應的測試插座內。示波器上將顯示出一條開始平后向上彎曲的曲線。
6.4 數值的讀取方法：(曲線最上端所處的豎線格數－起始格數)×200mV÷1000 即位飽和壓降值。