雙向可控硅的使用方法和詳細介紹

1.雙向可控硅等效結構

2.雙向可控硅等效結構

3.雙向可控硅等效結構

T2 接電源Vt21 正極，T1 接通電源Vt21負 負, 此時當G 極接Vg+ 為正電壓， Q4、 、Q5 、Q6 、Q7 處于反向截止，Q1 的B極 極和 和E 極之間無正偏壓也處于截止狀態，Vg+ 由P2 輸入后經R3 使Q2 的B 極和E極 極之間產生正偏電壓而導通，從而促使Q3導通，這時即使撤出Vg+ ，在電容C1的 的的作用下，Q2 、Q3 也仍然能處于導通狀態，只有當Vt21 先反向或撤除才重回截止。當G 極接Vg 為負，Q4 、Q5 、Q6、 、Q7 同樣處于反向截止狀態，Q1 的B 極和E 極之間因Vg 產生正偏電壓而導通，從而使Q3 、Q2 導通并得以保持導通狀態。? T1 接電源Vt12 正極，T2 接通負電源Vt12 的負極,  此時G 極接Vg 為正， Q1因 因B 極和E 極之間處于反向偏壓而截止，Q3 處于反向截止，Q2 因B 極和E 極之間處于正向偏壓導通而導致Q4 、Q7 的導通，從而Q6 、Q7 導通并保持導通狀態，只有當 當Vt12 先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg 為負，Q1 、Q2 、Q3 和Q4 處于反向截止， Q5 的B 極和E 極之間因Vg 而處于正偏導通，從而使Q6 導通，繼而Q7、 、Q6 導通并得以保持導通狀態。

4.雙向可控硅觸發模式

5.雙向可控硅觸發命名

6.雙向可控硅平面和縱向結構

7.雙向可控硅I-V曲線

8.雙向可控硅優缺點

優點：
雙向可控硅可以用門極和T1  間的正向或負向電流
觸發。因而能在四個“象限”觸發
缺點：
1.  高IGT ->  需要高峰值IG 。
2.  由IG  觸發到負載電流開始流動，兩者之間遲后時間較長 –>  要求IG  維持較長時間。
3.  低得多的dI/dt  承受能力 —>  若控制負載具有高dI/dt  值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發生強烈退化。
4.  高IL  值（1- 工況亦如此）—> 對于很小的負載，若在電源半周起始點導通，可能需要較長時間的IG ，才能讓負載電流達到較高的IL 。

9.雙向可控硅誤導通

 （a ）電子噪聲引發門極信號在電子噪聲充斥的環境中，若干擾電壓超過VGT，并有足夠的門極電流，就會發生假觸發，導致雙向可控硅切換。
(b) 超過最大切換電壓上升率dVCOM/dt當負載電流過零時雙向可控硅發生切換，由于相位差電壓并不為零，這時雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產生的切換電壓上升率若超過允許的dVCOM/dt，會迫使雙向可控硅回復導通狀態。因為載流子沒有充分的時間自結上撤出。
（ （c ）  超出最大的切換電流變化率dICOM/dt過高的dIT/dt 可能導致局部燒毀，并使MT1-MT2 短路。 高dIT/dt 承受能力決定于門極電流上升率dIG/dt 和峰值IG。較高的dIG/dt 值和峰值IG
(d)  超出最大的斷開電壓變化率dVD/dt若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過VDRM（見圖8），電容性內部電流能產生足夠大的門極電流，并觸發器件導通。門極靈敏度隨溫度而升高。

10.三象限（ 無緩沖）雙向可控硅

1. 3Q 雙向可控硅具有和4Q 雙向可控硅不同的內部結構，它在門極沒有臨界的重疊結構。
2. 不能在4象限工作，但由于排除了4象限的觸發，同時避開了4Q 雙向可控硅的缺點。
3. 大部分電路工作在1和3象限（用于相位控制），或者工作在2和3象限（用于簡單的極性觸發)。

3Q  雙向可控硅的好處:
1. 高dVcom/dt 值性能,不需緩沖電路
2. 高dVd/dt 值性能,不需緩沖電路
3. 高dIcom/dt 值性能，不必串聯電感

11.雙向可控硅