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可控硅參數(shù)說(shuō)明及中英文對(duì)照表

可控硅是電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中很常見(jiàn)的一種基礎(chǔ)電子元器件，IT(RMS）、VDRM/VRRM、IGT等參數(shù)為大家所熟知，但選擇、用好一個(gè)可控硅不僅僅是這些常見(jiàn)參數(shù)，有時(shí)，工程師還要了解更多。翰合科技為大家整理了以下信息并在文末提供了本文檔pdf文件下載，希望對(duì)您有用。

可控硅參數(shù)說(shuō)明及中英文對(duì)照表

符號(hào)	英文單詞參數(shù)	中文參數(shù)	說(shuō)明	單位
IT(AV)	AVERAGE ON-STATE CURRENT	通態(tài)平均電流	國(guó)標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40oC和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的最大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱(chēng)其額定電流的參數(shù)。同電力二極管一樣，這個(gè)參數(shù)是按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的。因此在使用時(shí)同樣應(yīng)按照實(shí)際波形的電流與通態(tài)平均電流所造成的發(fā)熱效應(yīng)相等，即有效值相等的原則來(lái)選取晶閘管的此項(xiàng)電流定額，并應(yīng)留一定的裕量。一般選取其通態(tài)平均電流為按此原則所得計(jì)算結(jié)果的1.5-2倍。	A
VTM	Peak on-state voltage drop	通態(tài)峰值電壓	指器件通過(guò)規(guī)定正向峰值電流IFM(整流管)或通態(tài)峰值電流ITM(晶閘管)時(shí)的峰值電壓也稱(chēng)峰值壓降該參數(shù)直接反映了器件的通態(tài)損耗特性影響著器件的通態(tài)電流額定能力。	V
IDRM	Maximum forward or reverse leakage current	斷態(tài)重復(fù)峰值漏電流	為晶閘管在阻斷狀態(tài)下承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)流過(guò)元件的正反向峰值漏電流該參數(shù)在器件允許工作的最高結(jié)溫Tjm下測(cè)出。	mA
IRRM	Maximum reverse leakage current	反向重復(fù)峰值漏電流		mA
IDSM		斷態(tài)不重復(fù)平均電流	門(mén)極斷路時(shí)，在額定結(jié)溫下對(duì)應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。	A
VTO	On state threshold voltage	門(mén) 檻電壓	-	V
IT(RMS)	On-State RMS Current (full sine wave)	通態(tài)電流均方值	-	A
ITSM	Non-Repetitive Peak on-state Current	通態(tài)浪涌電流(通態(tài)不重復(fù)峰值電流)	浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性最大正向過(guò)載電流。浪涌電流有上下兩個(gè)級(jí)，這個(gè)參數(shù)可用來(lái)作為設(shè)計(jì)保護(hù)電路的依據(jù)。	A
IGM	Forward Peak Gate Current	門(mén)極峰值電流	-	A
I2T	Circuit Fusing Consideration	周期電流平方時(shí)間積	-	A2ses
dIT/dt	Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)	通態(tài)臨界電流上升率	當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門(mén)極電流觸發(fā)下導(dǎo)通，門(mén)極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴(kuò)展至整個(gè)有效面積。這遲后的時(shí)間有一個(gè)極限，即負(fù)載電流上升率的許可值。過(guò)高的dIT/dt可能導(dǎo)致局部燒毀，并使T1-T2 短路。假如過(guò)程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出或?qū)〞r(shí)的dIT/dt有可能被超出，可在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的不飽和（空心）電感。	A/μs
VDRM	Repetitive peak off-state voltage	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓.國(guó)標(biāo)規(guī)定重復(fù)頻率為50H，每次持續(xù)時(shí)間不超高10ms。規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓DRM為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即斷態(tài)最大瞬時(shí)電壓）UDSM的90%.斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于正向轉(zhuǎn)折電壓bo，所留裕量大小由生產(chǎn)廠家自行規(guī)定。UU	V
VRRM		反向重復(fù)峰值電壓	在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。	V
VPP	Non repetitive line peak pulse voltage	最高不重復(fù)線(xiàn)路峰值電壓	-	v
Visol	R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink	引腳到外殼最大絕緣電壓	-	V
PG(AV)	Average gate power dissipation	門(mén)極平均散耗功率	-	W
PGM	Peak gate power	門(mén)極最大峰值功率	-	W
PG(AV)	Average Gate Power	門(mén)極平均功率	-	W
Tj	Operating Junction Temperature Range	工作結(jié)溫	為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證 Rth j-a 足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。	℃
Tstg	Storage Temperature Range	貯存溫度	-	℃
TL	Max.Lead Temperature for Soldering Purposes	引腳承受焊錫極限溫度	-	℃
Rth(j-mb)	Thermal Resistance Junction to mounting base	熱阻-結(jié)到外殼	-	℃/W
Rth(j-a)	Thermal Resistance Junction-to-ambient	熱阻-結(jié)到環(huán)境	-	℃/W
IGT	Triggering gate current	門(mén)極觸發(fā)電流	為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流Igt選擇25度時(shí)max值的α倍，α為門(mén)極觸發(fā)電流—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線(xiàn)中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無(wú)特殊需要，通常選型時(shí)α取大于1.5倍即可。	mA
IH	Holding Current	維持電流	維持可控硅維持通態(tài)所必需的最小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。	mA
IL	Latching Current (IGT3)	接入電流(第三象限)/擎住電流	擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。對(duì)同一晶閘管來(lái)說(shuō)，通常IL約為IH的2--4倍。	mA
ID	Off-state leakage current	斷態(tài)漏電流	-	mA
VGT	Triggering gate voltage	門(mén)極觸發(fā)電壓	—可以選擇Vgt 25度時(shí)max值的β倍。β為門(mén)極觸發(fā)電壓—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線(xiàn)中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無(wú)特殊需要，通常選擇時(shí)β取1~1.2倍即可。	V
VGD	Non-triggering gate voltage	門(mén)極不觸發(fā)電壓	-	V
VFGM	Peak Forward Gate Voltage	門(mén)極正向峰值電壓	-	V
VRGM	Peak Reverse Gate Voltage	門(mén)極反向峰值電壓	-	V
IFGM	Peak Forward Gate Current	門(mén)極正向峰值電流	-	A
VTM	Peak Forward On-State Voltage	通態(tài)峰值電壓	它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅	V
dV/dt	Critical Rate of Rise of Off-state Voltage	斷態(tài)臨界電壓上升率	dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容，如圖2所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端會(huì)出現(xiàn)等效電流，這個(gè)電流就會(huì)成為Ig，也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，導(dǎo)致誤觸發(fā)	V/uS
(dI/dt)c	Critical rate of decrease of commutating on-state current	通態(tài)電流臨界上升率	指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無(wú)有害影響的最大通態(tài)電流上升率。如果電流上升太快，則晶閘管剛一開(kāi)通，便會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過(guò)熱而使晶閘管損壞。	A/ms
dVCOM/dt	Critical rate of change of commutating voltage	臨界轉(zhuǎn)換電壓上升率	切換電壓上升率dVCOM/dt。驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí)，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零。這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過(guò)允許值，會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)，因?yàn)檩d流子沒(méi)有充分的時(shí)間自結(jié)上撤出。	V/uS
dICOM/dt		切換時(shí)負(fù)載電流下降率	dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力下降。結(jié)面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVCOM/dt的允許值有可能被超過(guò)，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在T1 和T2 間裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，晶閘管關(guān)斷過(guò)程中主電流過(guò)零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流，此過(guò)程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。	A/mS
tgt	Gate Controlled Delay Time	門(mén)極控制延遲時(shí)間	-	us
Tq	Circuit Commutated Turn-off Time	周期轉(zhuǎn)換關(guān)斷時(shí)間	恢復(fù)晶閘管電壓阻斷能力所需的最小電路換流反壓時(shí)間。	us
Rd	Dynamic Resistance ( Tj=125℃)	動(dòng)態(tài)阻抗	-	mΩ